РОЗРОБКА ГАЗОЧУТЛИВОГО ШАРУ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО СЕНСОРА НА ОСНОВІ МАТЕРІАЛУ, ОТРИМАНОГО ЗА ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ ІЗ ЗАСТОСУВАННЯМ ЕТАНДІОЛУ-1,2

УДК 543.272.2

Автор(и)

  • А. Бувайло, асп. Київський національний університет імені Тараса Шевченка image/svg+xml
  • Н. Максимович, канд. хім. наук Київський національний університет імені Тараса Шевченка image/svg+xml
  • Л. Олексенко, канд. хім. наук Київський національний університет імені Тараса Шевченка image/svg+xml
  • Г. Сколяр, інж. Київський національний університет імені Тараса Шевченка image/svg+xml

Ключові слова:

-

Анотація

Золь-гель технологію застосовано для створення газочутливого шару напівпровідникового сенсору на основі оксиду олова (IV), легованого добавками оксиду стибію(III) в кількості 0,15 мол. % із використанням етандіолу-1,2 в якості розчинника та заміщуючого реагенту. Вивчено залежність величини сигналу сенсору на основі створеного матеріалу від концентрації H2 в повітрі. Показано, що чутливість такого сенсору по відношенню до 40 ppm H2 у повітрі більша, ніж для сенсору, створеного на основі традиційного матеріалу, отриманого методом співосадження гідроксидів олова та стибію з водного середовища.

Посилання

1. Максимович, Н. П., Каскевич, О. К., Нікітіна, Н. В. та ін. Напівпровідниковий матеріал для адсорбційних сенсорів низькомолекулярних органічних сполук і спосіб його виготовлення // Патент 34593А України. Оп. 15 бер. 2003 року, Бюл. №2.

2. Bond, G., Fuller, M., Molloy, L. Oxidation of carbon monoxide catalyzed by palladium on tin(IV) oxide: an example of spillover catalysis // Proc. 6th Intern. Congr. Catalysis. London. – 1976. – P. 356-364.

3. Prudenziati, M. Present and future of thick film sensors // Handbook of Sensors and Actuators. – 1994. – Vol. 1. – P. 457-462.

4. Samson, S., Fonstad, C. G. Defect structure and electronic donor levels in stannic oxide crystals // J. Appl. Phys. – 1973. – Vol. 44. – P. 4618-4623.

5. Saraladevi, G., Masthan, S. K., Shakuntalav, M., Rao, J. Correlation between structural properties and gas sensing characteristics of SnO2 based gas sensors // J. Mater. Sci: Materials in Electronics. – 1999. – Vol. 10. – P. 545-549.

6. Tamaki, K., Xu, C., Miura, N., Yamazoe, N. Grain size effects on gas sensitivity of porous SnO2-based elements // Sensors and Actuators. – 1991. – Vol. 3. – P. 147-155.

7. Yamamoto, O., Sasamoto, T., Inagaki, M. Indium tin oxide thin films prepared by thermal decomposition of ethylene glycol solution // J. Mater. Res. – 1992. – Vol. 7. – P. 2488-2492.

8. Yamazoe, N., Kurokawa, Y., Seiyama, T. Effects of additives on semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators. – 1983. – Vol. 4. – P. 283-289.

9. Zhang, G., Liu, M. Preparation of nanostructured tin oxide using a sol-gel process based on tin tetrachloride and ethylene glycol // J. Mater. Sci. – 1999. – Vol. 34. – P. 3213-3219.

Завантаження

Опубліковано

18.05.2007

Як цитувати

РОЗРОБКА ГАЗОЧУТЛИВОГО ШАРУ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО СЕНСОРА НА ОСНОВІ МАТЕРІАЛУ, ОТРИМАНОГО ЗА ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ ІЗ ЗАСТОСУВАННЯМ ЕТАНДІОЛУ-1,2: УДК 543.272.2. (2007). Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія, 46(1), 25-26. https://chemistry.bulletin.knu.ua/article/view/8375

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають