ГАЗОЧУТЛИВІ НАПІВПРОВІДНИКОВІ НАНОМАТЕРІАЛИ ДЛЯ СТВОРЕННЯ СЕНСОРІВ ВОДНЮ
DOI: https://doi.org/10.17721/1728-2209.2020.1(57).10
Ключові слова:
напівпровідникові матеріали Со/SnO2/Sb2O5, сенсори, водень, чутливість, швидкодія.Анотація
Із застосуванням методу співосадження та золь-гель технології отримано напівпровідникові мікрокристалічні та нанорозмірні матеріали на основі SnO2/Sb2O5 та Со/SnO2/Sb2O5. Вивчено морфологію та фазовий склад одержаних матеріалів. Встановлено, що одержані Со-вмісні сенсори, газочутливий шар яких створений на основі нанорозмірного матеріалу SnO2/Sb2O5 (0,15 %Sb), виявляють вищу чутливість до мікроконцентрації Н2 (40 ppm) порівняно з сенсорами з газочутливим шаром, створеним на основі мікрокристалічного матеріалу. Дослідженнями динамічних параметрів сенсорів показано, що сенсори на основі наноматеріалу мають майже вдвічі кращу швидкодію та менший час релаксації порівняно з сенсорами на основі мікрокристалічного матеріалу, близького за хімічним складом. Отримані результати пояснено з погляду енергетичної неоднорідності нанорозмірного та мікрокристалічного матеріалів поверхні газочутливого шару сенсорів.
Посилання
1. Ray S.C., Karanjai M.K., Dasgupta D. Thin Solid Films,1997, 307, 221–227.
2. Yamazoe N., Kurokowa Y., Seiyama T. Sens. Actuators, B, 1993, 4, 283-289.
3. Maksimovich N.P., Yeremina L.E. Sens. Actuators, B, 1993, 13, 256–258.
4. Pregger T., Graf D., Krewitt W. Int. J. Hydrog. Energy, 2009, 34, 4256–4267.
5. Zhang G., Liu M. J. Mater. Sci., 1999, 34, 3213–3219.
6. Patisserie B., Lalauze R., Pijolat C. Proc. 4th Int. Meet. Chem. Sensors, Tokyo, 1992, 1045–1048.
7. Maksymovych N., Ripko O., Maksymovych O., Kaskevych O., Nikitina N., Ruchko V., Kuzko O., Yatsimirsky V. Sens. Actuators, B, 2003, 93, 321–326.
8. Maksymovych N., Vorotyntsev V., Nikitina N., Kaskevich O., Karabun P., Martynenko F. Sens. Actuators, B, 1996, 36, 419–421.
9. Matushko I.P., Yatsmirskii V.K., Maksimovich N.P., Nikitina N.V., Silenko P.M., Ruchko V.P., Ishchenko V.B. Theor. Exp. Chem., 2008, 44, 128–133.
10. Yannopoulos L.N. US Patent 4614669, No 06/777,123, published 30.09.1986.
11. Oleksenko L.P., Maksymovych N.P., Sokovykh E.V., Matushko I.P., Buvailo A.I., Dollahon N. Sens. Actuators, B, 2014, 196, 298–305.
12. ASTM Diffraction Date Cards of X-ray Diffraction Data (American Society for Testing and Materials, Philadelphia, 1946–1996).
13. Sokovykh E., Buvailo A., Matushko I., Maksymovych N.P., Oleksenko L.P. Proc. XI Ukr. Sci. Conf. for Students and PhD students "Actual tasks of chemistry", Kyiv, 2010, 147 (in Ukrainian).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 I. Матушко, Л. Олексенко, Н. Максимович, Г. Сколяр, О. Роїк, Г. Федоренко, Л. Луценко, О. Ріпко
Ця робота ліцензується відповідно до ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International License.
